โมดูล IGBT คืออะไร?
IGBT ตัวสํารองของ Isolated Gate Bipolar Transistor เป็นอุปกรณ์ครึ่งประสาทพลังงานสามปลายที่ใช้เป็นหลักในการใช้งานพลังงานสูงIGBT รวมลักษณะที่ดีที่สุดของทั้ง MOSFETs (ทรานซิสเตอร์ผลสนามโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งนํา) และทรานซิสเตอร์แยกสองขั้ว (BJT)นี่คือภาพรวมสั้น ๆ ของลักษณะของมัน:
ความดันสูงและการจัดการกับกระแสไฟฟ้า:IGBTs (FS950R08A6P2B)สามารถจัดการกับความดันและกระแสไฟฟ้าสูง ทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานที่ต้องการการสลับพลังงานจํานวนมาก
เปลี่ยนเร็ว:พวกเขาให้เวลาเปลี่ยนที่รวดเร็ว ซึ่งสําคัญสําหรับการใช้งานที่ต้องการประสิทธิภาพสูงและการสูญเสียพลังงานที่ต่ํา
ประสิทธิภาพ:IGBTs (FF450R12ME4)ที่มีประสิทธิภาพสูง ซึ่งเป็นสิ่งสําคัญในอิเล็กทรอนิกส์พลังงาน เพื่อลดการสูญเสียพลังงานให้น้อยที่สุด
ประตูแยก:ประตูแยกให้บริการในการควบคุมความตึงของอุปกรณ์คล้ายกับ MOSFET ซึ่งให้การควบคุมการไหลของกระแสแม่นยํา
การนําทางแบบสองขั้วคุณลักษณะการนําทางแบบสองขั้วทําให้ความดันในสภาพต่ําลง ซึ่งคล้ายกับ BJT
ความแข็งแรง:IGBTs (F3L500R12W3H7H11)ถูกออกแบบให้แข็งแกร่ง และสามารถทนต่อความดันสูงและกระแสไฟฟ้า
เชนเจน มิงจีดา อิเล็กทรอนิกส์ จํากัด
FF450R12ME4
DD1000S33HE3
F3L500R12W3H7H11
FF600R12ME4B72
FP50R12N2T7B76
SNXH160T120L2Q1PG
FAM65CR51DZ2
FF300R08W2P2B11ABOMA1
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
โมดูล IGBT เป็นชุดที่คอมแพคต์ ซึ่งมีชิป IGBT หนึ่งหรือหลายชิป พร้อมกับไดโอ้ดและส่วนประกอบที่จําเป็นอื่น ๆทั้งหมดรวมกันในหน่วยเดียว เพื่อการติดตั้งง่ายขึ้นและการจัดการความร้อนที่ดีขึ้นโมดูลเหล่านี้ถูกออกแบบมาเพื่อจัดการความร้อนที่เกิดขึ้นระหว่างการทํางาน และเพื่อให้บริการทางแก้ไขการสลับพลังงานที่น่าเชื่อถือและมีประสิทธิภาพในอุปกรณ์และระบบอิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ
การใช้งาน:พวกเขาถูกใช้อย่างแพร่หลายในแอพลิเคชั่น เช่น ยานพาหนะไฟฟ้า, เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์อุตสาหกรรม, แหล่งไฟฟ้า, ระบบพลังงานที่สามารถปรับปรุงได้ (เช่นเครื่องเปลี่ยนแสงอาทิตย์),และการส่งกระแสไฟฟ้าตรงความดันสูง (HVDC).
URL ของบริษัท: https://www.integrated-ic.com/
ผู้ติดต่อ: Mr. Sales Manager
โทร: 86-13410018555
แฟกซ์: 86-0755-83957753
