จีน GaN IC

• 

  Half Bridge Driver GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 วัตถุประสงค์ทั่วไป

  หมวดหมู่:ไดร์เวอร์ PMIC แบบฮาล์ฟ-บริดจ์

  ชุด:CoolGaN™

  แอปพลิเคชั่น:วัตถุประสงค์ทั่วไป

  ติดต่อตอนนี้
• 

  ไดรเวอร์ FET LMG3411R070RWHR สวิตช์การกระจายพลังงาน Gan Power Ic P Channel 32VQFN

  อัตราส่วน - อินทุ้น:ผลิต:1:1

  อินเตอร์เฟซ:ลอจิก, PWM

  แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd):9.5V~18V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  LMG3410R070RWHR GaN IC Power Switch Driver P Channel ไดร์เวอร์ GaN แบบบูรณาการ

  การตั้งค่าผลิต:ด้านสูง

  ประเภทผลิต:พี-แชนแนล

  แรงดัน-โหลด:480V (สูงสุด)

  ติดต่อตอนนี้
• 

  LMG3422R030RQZR GaN FET 600V ไดรเวอร์ GaN Gate แบบแยกรวม

  กระแสไฟออก:1.2 ก

  การจ่ายแรงดัน - ต่ำสุด:7.5 โวลต์

  แรงดันไฟเลี้ยง - สูงสุด:18 โวลต์

  ติดต่อตอนนี้
• 

  LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32 สวิตช์การกระจายพลังงาน IC N Channel

  แรงดัน-โหลด:480V (สูงสุด)

  แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd):9.5V~18V

  กระแส - เอาท์พุต (สูงสุด):6A

  ติดต่อตอนนี้
• 

  LMG3410R150RWHR GaN IC 150mohm Gan FET ไดร์เวอร์โหลดไดร์เวอร์ Smart

  อินเตอร์เฟซ:ลอจิก, PWM

  แรงดัน-โหลด:480V (สูงสุด)

  แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd):9.5V~18V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  MOSFET GaN IC LMG3422R050RQZR Half Bridge Driver วัตถุประสงค์ทั่วไป VQFN54

  การกำหนดค่าเอาต์พุต:ฮาล์ฟบริดจ์

  แอพพลิเคชั่น:จุดประสงค์ทั่วไป

  ปัจจุบัน - เอาต์พุต / ช่อง:1.2ก

  ติดต่อตอนนี้
• 

  LMG3425R050RQZR ไดร์เวอร์ Gan Mosfet ไดร์เวอร์ซิลิคอน ไดร์เวอร์ Gan Fet แบบบูรณาการ

  อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 125°C (TJ)

  แรงดันไฟฟ้า:7.5 โวลต์ ~ 18 โวลต์

  เวลาเพิ่มขึ้น:2.5 น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V ทรานซิสเตอร์ Gan Fet 14mohm SiC Trench MOSFET TO247

  ประเภท FET:N-Channel

  ระบายไปยังแรงดันต้นทาง (Vdss):1200 V

  Vgs (สูงสุด):+20V, -5V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  LMG3425R030RQZR ไดร์เวอร์ Gan Fet Gate VQFN54 ไดร์เวอร์ Gan แบบ Half Bridge แบบบูรณาการ

  การกำหนดค่า:กลับด้าน ไม่กลับด้าน

  แพ็คเกจ / เคส:VQFN-54

  แรงดันไฟจ่าย:7.5 V - 18 V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  GANB8R0-040CBA GaN IC 40V Bi Directional GaN FETs WLCSP16 FETs ไกเลียมไนไตรด

  จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:10

  ราคา:Contact for Sample

  รายละเอียดการบรรจุ:แพ็คเกจมาตรฐาน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  LMG2652RFBR GaN IC GaN Power FET Half Bridge 650V GaN Power Stages VQFN19

  จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:10

  ราคา:Contact for Sample

  รายละเอียดการบรรจุ:แพ็คเกจมาตรฐาน

  ติดต่อตอนนี้