จัดหา ICs ชิป MOSFETs NTH4L022N120M3S N-Channel 1200V 68A 352W ผ่านรู TO-247-4L
รายละเอียดสินค้าของ NTH4L022N120M3S
NTH4L022N120M3S ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) MOSFET เป็นตระกูลของ 1200V M3S planar SiC MOSFETNTH4L022N120M3S ได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับแอปพลิเคชันการสลับที่รวดเร็วเทคโนโลยีระนาบทำงานได้อย่างน่าเชื่อถือด้วยไดรฟ์แรงดันเกทเชิงลบและปิดสไปค์บนเกทMOSFET เหล่านี้มีประสิทธิภาพสูงสุดเมื่อขับเคลื่อนด้วยเกทไดร์ฟ 18V แต่ยังทำงานได้ดีกับเกทไดร์ฟ 15V
ข้อมูลจำเพาะของ NTH4L022N120M3S
| ส่วนจำนวน: | NTH4L022N120M3S | ประเภท FET: | N-ช่อง |
|---|---|---|---|
| แหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): | 1200V | ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C: | 68A (Tc) |
| แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds): | 18V | Vgs(Th) (สูงสุด) @ รหัส: | 4.4V @ 20mA |
คุณสมบัติของ NTH4L022N120M3S
การใช้งานทั่วไปของ NTH4L022N120M3S
แผนภาพบล็อกของ NTH4L022N120M3S
แผนภาพการทำเครื่องหมายของ NTH4L022N120M3S
คำถามที่พบบ่อย
ถาม: ผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองใด
A: เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
A: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ
ผู้ติดต่อ: Mr. Sales Manager
โทร: 86-13410018555
แฟกซ์: 86-0755-83957753
