|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ส่วนจำนวน: | STG200M65F2D8AG | อุณหภูมิทางแยกสูงสุด: | TJ = 175 องศาเซลเซียส |
|---|---|---|---|
| แรงดันเกต-อิมิตเตอร์: | ±20V | กระแสสะสมต่อเนื่องที่ T = 100 °C: | 200A |
| กระแสสะสมแบบพัลซิ่ง: | 600A | ทนต่อการลัดวงจร: | 6µs |
ชิปวงจรรวม STG200M65F2D8AG ทรานซิสเตอร์ IGBT เกรดยานยนต์ 650V
รายละเอียดสินค้าของSTG200M65F2D8AG
STG200M65F2D8AG เป็นแม่พิมพ์ IGBT การสูญเสียต่ำสำหรับยานยนต์ 650V, 200A, 200A ในบรรจุภัณฑ์ D8
ข้อมูลจำเพาะของSTG200M65F2D8AG
| ส่วนจำนวน: | STG200M65F2D8AG | ขนาด: | 9.73มม. X 10.23มม |
|---|---|---|---|
| ความหนาของแม่พิมพ์: | 70μm | ทู่ด้านหน้า: | ซิลิคอนไนไตรด์ |
| ความหนาของโลหะด้านหน้า: | 4.5μm | การเชื่อมลวดที่แนะนำ: | ≤ 500μm |
คุณสมบัติ ของSTG200M65F2D8AG
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ในสต็อก
| ส่วนจำนวน | บรรจุุภัณฑ์ |
| BCR30AM-12LB | TO-247 |
| MT27514A1 | บช.น |
| MT25418B0 | บช.น |
| BQ51021YFPR | DSBGA42 |
| BQ24392RSER | UQFN10 |
| KMFE10012M-B214 | บีจีเอ-221 |
คำถามที่พบบ่อย
ถาม: ผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองใด
A: เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
A: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ
ผู้ติดต่อ: Sales Manager
โทร: 86-13410018555
แฟกซ์: 86-0755-83957753
