|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ส่วนจำนวน: | NXH80T120L2Q0S2G | กระแสไฟฟ้ารั่วไหลของเกท-อิมิตเตอร์: | 300 นาโนเมตร |
|---|---|---|---|
| Pd - การกระจายพลังงาน: | 158 ว | ประเภทสินค้า: | โมดูล IGBT |
| แรงดันเกต-อิมิตเตอร์: | ±20V | ขนาด: | 65.9 มม. x 32.5 มม. x 12 มม |
โมดูลพลังงาน NXH80T120L2Q0S2G โมดูล IGBT ซิลิคอน 158W โมดูล IGBT ยานยนต์
รายละเอียดสินค้าของNXH80T120L2Q0S2G
NXH80T120L2Q0S2G IGBT ร่องลึกหยุดสนามแบบบูรณาการและไดโอดกู้คืนอย่างรวดเร็วช่วยลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าและการสูญเสียการสลับ ทำให้นักออกแบบได้รับประสิทธิภาพสูงและความน่าเชื่อถือที่เหนือกว่า
ข้อมูลจำเพาะของNXH80T120L2Q0S2G
| ส่วนจำนวน: | NXH80T120L2Q0S2G |
| IGBT โมดูลซิลิคอน | |
| ฮาล์ฟบริดจ์ | |
| 1.2 กิโลโวลต์ | |
| 2.05 โวลต์ | |
| 80 อ |
แผนผังของNXH80T120L2Q0S2G
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ในสต็อก
| ส่วนจำนวน | บรรจุุภัณฑ์ |
| XC7K325T-3FFG900E | บีจีเอ900 |
| XC7K325T-2FFG676C | FBGA676 |
| XC7K325T-1FFG676C | BGA676 |
| XC7K325T-2FBG900I | บช.น |
| XC7K325T-2FF900I | เอฟบีจีเอ |
| XC7K325T-1FF676I | 676-FCBGA |
คำถามที่พบบ่อย
ถาม: ผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองใด
A: เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
A: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ
ผู้ติดต่อ: Sales Manager
โทร: 86-13410018555
แฟกซ์: 86-0755-83957753
