|
รายละเอียดสินค้า:
|
| เลขส่วน: | MT29F2G16ABBEAH4-AAT:อี | องค์กร: | 128 ม. x 16 |
|---|---|---|---|
| เทคโนโลย: | แฟลช - NAND | โลเตจ - การให้บริการ: | 1.7V~1.95V |
| กล่อง / กระเป๋า: | 63-VFBGA | ประเภทไทม์มิ่ง: | อิสินโครน |
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E 2Gbit Parallel Memory IC 63-VFBGA ชิปวงจรรวม
รายละเอียดสินค้าของMT29F2G16ABBEAH4-AAT:อี
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E เป็นชิปหน่วยความจำแฟลช NAND สำหรับยานยนต์ขนาด 2Gbit แบบขนานเป็นสัญญาณควบคุมห้าสัญญาณที่ใช้ในการปรับใช้อินเทอร์เฟซข้อมูลแบบอะซิงโครนัส: CE#, CLE, ALE, WE# และ RE#สัญญาณเพิ่มเติมควบคุมการป้องกันการเขียนฮาร์ดแวร์และตรวจสอบสถานะอุปกรณ์ (R/B#)
ข้อมูลจำเพาะของMT29F2G16ABBEAH4-AAT:อี
| ส่วนจำนวน: | MT29F2G16ABBEAH4-AAT:อี |
| 2 กิกะบิต | |
| ความกว้างของบัสข้อมูล: | 16 บิต |
| 128 ม. x 16 | |
| ประเภทอินเทอร์เฟซ: | ขนาน |
| 1.7 โวลต์ | |
| ประเภทเวลา: | อะซิงโครนัส |
คุณสมบัติของMT29F2G16ABBEAH4-AAT:อี
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ในสต็อก
| ส่วนจำนวน | บรรจุุภัณฑ์ |
| IHLP6767GZER8R2MA1 | เอสเอ็มดี |
| TPS40210DRCR | QFN10 |
| B50612EB0KMLG | คิวเอฟเอ็น |
| LE88536PQC | QFN48 |
| SE5017L | QFN20 |
| SKY13431-374LF | ดีเอฟเอ็น6 |
คำถามที่พบบ่อย
ถาม: ผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองใด
A: เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
A: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ
ผู้ติดต่อ: Sales Manager
โทร: 86-13410018555
แฟกซ์: 86-0755-83957753
