IC หน่วยความจำ 512Mbit S26KS512SDPBHA020 NOR ชิปหน่วยความจำแฟลช 24-FBGA 166MHz แบบขนาน

IC หน่วยความจำ 512Mbit S26KS512SDPBHA020 NOR ชิปหน่วยความจำแฟลช 24-FBGA 166MHz แบบขนาน​

รายละเอียดสินค้าของS26KS512SDPBHA020

S26KS512SDPBHA020 ระหว่างการดำเนินการแบบรวม การเข้าถึงจะเริ่มต้นที่ตำแหน่งที่เลือกและดำเนินการต่อตามจำนวนตำแหน่งที่ตั้งที่กำหนดค่าไว้ในลำดับการรวมกลุ่ม

ข้อมูลจำเพาะของS26KS512SDPBHA020

คุณสมบัติของS26KS512SDPBHA020

• สแตนด์บาย: 25 µA (ปกติ) ไม่ต้องปลุกเครื่อง
• Deep Power-Down: 8 µA (ปกติ)
• ต้องการการปลุก 300 µs
• แฟลชข้อมูลแบบอ่าน-เขียน (RWDS)
• ความแรงของไดรฟ์เอาท์พุตที่กำหนดค่าได้
• เลือกประเภทการระเบิดแบบห่อหรือเชิงเส้นในแต่ละธุรกรรม
• หน่วยความจำ HYPERFLASH™ ใช้ RWDS เป็น Read Data Strobe เท่านั้น

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ในสต็อก

คำถามที่พบบ่อย

ถาม: ผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองใด
A: เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
A: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ