S70KS1282GABHV020 ชิปวงจรรวม 128Mbit PSRAM ชิปหน่วยความจำ 24-FBGA

ชิปวงจรรวม S70KS1282GABHV020 ชิปหน่วยความจำ PSRAM 128Mbit 24-FBGA

รายละเอียดสินค้าของS70KS1282GABHV020

S70KS1282GABHV020 128Mb HYPERRAM™ เป็นชิปแบบเรียงซ้อนโดยใช้ลูกเต๋าขนาด 64 Mb สองตัวสามารถตั้งโปรแกรมตายครั้งละหนึ่งตัวเท่านั้นเพื่อเข้าสู่โหมดไฮบริดสลีปหรือโหมดปิดเครื่องลึก

ข้อมูลจำเพาะของS70KS1282GABHV020

คุณสมบัติของS70KS1282GABHV020

• การอ่านหรือเขียนแบบต่อเนื่อง (การระเบิดเชิงเส้นที่ 200 MHz, 1.8 V): 50 mA
• สแตนด์บาย (CS# = VCC = 3.6 V, 105°C): 750 µA
• ลดพลังงานลึก (CS# = VCC = 3.6 V, 105°C): 360 µA
• ป้อนข้อมูลระหว่างการทำธุรกรรมการเขียนเป็นมาสก์ข้อมูลการเขียน
• แฟลชเสริมอ่านแบบจัดแนวกลาง DDR (DCARS) ที่เป็นอุปกรณ์เสริม

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ในสต็อก

คำถามที่พบบ่อย

ถาม: ผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองใด
A: เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
A: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ