S70KS1283GABHA023 หน่วยความจำ PSRAM IC 128Mbit 200MHz DRAM HyperRAM

DRAM HyperRAM S70KS1283GABHA023 หน่วยความจำ PSRAM IC 128Mbit SPI - Octal 200MHz

รายละเอียดสินค้าของ S70KS1283GABHA023

S70KS1283GABHA023 128MBit 1.8 V สำหรับยานยนต์ (85°C) xSPI (ฐานแปด) HYPERRAM Gen 2.0 ใน 24 FBGA

ข้อมูลจำเพาะของ S70KS1283GABHA023

คุณสมบัติของ S70KS1283GABHA023

• ประสิทธิภาพ ขุมพลัง และแพ็คเกจ
• อัตราสัญญาณนาฬิกาสูงสุด 200-MHz
• DDR ถ่ายโอนข้อมูลบนขอบทั้งสองของนาฬิกา
• ปริมาณข้อมูลสูงสุด 400 MBps (3,200 Mbps)
• ลักษณะการระเบิดที่กำหนดค่าได้
• ระเบิดเชิงเส้น
• ความยาวระเบิดที่ห่อ: 128 ไบต์ (64 นาฬิกา)
• ตัวเลือกไฮบริด - หนึ่งชุดต่อเนื่องตามด้วยชุดต่อเนื่องบน 64 Mbไม่รองรับการระเบิดเชิงเส้นข้ามขอบเขตดาย
• ความแรงของไดรฟ์เอาท์พุตที่กำหนดค่าได้
• โหมดพลังงาน[1]
• โหมดไฮบริดสลีป
• พลังลึกลง
• รีเฟรชอาร์เรย์
• อาร์เรย์หน่วยความจำบางส่วน (1/8, 1/4, 1/2 และอื่นๆ)
• แพ็คเกจ: FBGA 24 ลูก

ประเภทสินค้าซัพพลายอื่นๆ

คำถามที่พบบ่อย

ถาม: ผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองใด
A: เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
A: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ