|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ส่วนจำนวน: | IMW120R350M1H | ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านรู |
|---|---|---|---|
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์: | TO-247-3 | ชุด: | CoolSiC™ |
| ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 455mOhm @ 2A, 18V | ประเภท FET: | N-ช่อง |
ร่องลึกซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET IMW120R350M1H ชิปวงจรรวม TO-247-3
รายละเอียดสินค้าของIMW120R350M1H
IMW120R350M1H คือ 1200 V CoolSiC™ Trench Silicon Carbide MOSFETs ในแพ็คเกจ TO247-3
ข้อมูลจำเพาะของIMW120R350M1H
| ส่วนจำนวน | IMW120R350M1H |
|
Vgs (สูงสุด)
|
+23V, -7V
|
|
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
|
182 pF @ 800 โวลต์
|
|
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
|
60W (ทีซี)
|
|
อุณหภูมิในการทำงาน
|
-55°C ~ 175°C (TJ)
|
คุณสมบัติของIMW120R350M1H
ประเภทสินค้าซัพพลายอื่นๆ
| ส่วนจำนวน | บรรจุุภัณฑ์ |
| DP83TD510ERHBR | VQFN32 |
| KSZ8775CLXCC | LQFP80 |
| ADIN2299BBCZ | บีจีเอ-196 |
| SJA1105ELY | LFBGA-159 |
| 88E1548-A1-BAM2C000 | TFBGA196 |
| KSZ8842-16MVLI | LQFP128 |
คำถามที่พบบ่อย
ถาม: ผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองใด
A: เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
A: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ
ผู้ติดต่อ: Sales Manager
โทร: 86-13410018555
แฟกซ์: 86-0755-83957753
