|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ส่วนจำนวน: | IMZ120R140M1H | ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 182mOhm @ 6A, 18V |
|---|---|---|---|
| การกระจายพลังงาน (สูงสุด): | 94W (ทีซี) | อุณหภูมิในการทำงาน (สูงสุด): | 175°C (ทีเจ) |
| แรงดันจากแหล่งเดรน, Tvj ≥ 25°C: | 1200V | อุณหภูมิในการทำงาน(นาที): | -55°C (ทีเจ) |
ชิปวงจรรวม IMZ120R140M1H ทรานซิสเตอร์ MOSFET แบบ Single FETs TO-247-4
รายละเอียดสินค้าของIMZ120R140M1H
IMZ120R140M1H คือ CoolSiC™ 1200V Silicon Carbide Trench MOSFET Transistors, package is TO-247-4, Through Hole.
ข้อมูลจำเพาะของIMZ120R140M1H
| ส่วนจำนวน | IMZ120R140M1H |
|
ประเภท FET
|
N-ช่อง
|
|
เทคโนโลยี
|
SiCFET (ซิลิคอนคาร์ไบด์)
|
|
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss)
|
1200 โวลต์
|
|
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
|
19A (TC)
|
|
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds)
|
15V, 18V
|
คุณสมบัติของIMZ120R140M1H
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ในสต็อก
| ส่วนจำนวน | บรรจุุภัณฑ์ |
| XC7A75T-2FG484I | 484-เอฟบีจีเอ |
| XC7A75T-3FGG484E | บีจีเอ484 |
| XC7A75T-L2CSG324E | บีจีเอ324 |
| XC7A75T-1FTG256I | 256-แอลบีจีเอ |
| XA6SLX9-2CSG324Q | 324-LFBGA |
| XA6SLX9-2FTG256Q | FBGA-256 |
คำถามที่พบบ่อย
ถาม: ผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองใด
A: เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
A: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ
ผู้ติดต่อ: Sales Manager
โทร: 86-13410018555
แฟกซ์: 86-0755-83957753
