ชิปวงจรรวม LMG3522R030RQSR ไดรเวอร์ครึ่งสะพานครึ่งล่างด้านต่ำ IC VQFN52

ชิปวงจรรวม LMG3522R030RQSR ไดรเวอร์ครึ่งสะพานครึ่งล่างด้านต่ำ IC VQFN52

รายละเอียดสินค้าของLMG3522R030RQSR

LMG3522R030RQSR GaN FET พร้อมไดรเวอร์และการป้องกันในตัวมุ่งเป้าไปที่ตัวแปลงพลังงานโหมดสวิตช์และช่วยให้นักออกแบบสามารถบรรลุระดับใหม่ของความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงาน

ข้อมูลจำเพาะของLMG3522R030RQSR

คุณลักษณะของLMG3522R030RQSR

• 650V GaN-on-Si FET พร้อมเกทไดรเวอร์ในตัว
• แรงดันไบอัสเกทที่มีความแม่นยำสูงในตัว
• การระงับ FET 200V/ns
• ความถี่ในการสลับ 2MHz
• อัตราการฆ่า 20V/ns ถึง 150V/ns สำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพการสลับและการลด EMI
• ทำงานจากแหล่งจ่ายไฟ 7.5V ถึง 18V
• การป้องกันที่แข็งแกร่ง
• การป้องกันกระแสเกินแบบวนรอบและวงจรป้องกันการลัดวงจรด้วยการตอบสนอง < 100ns
• ทนทานต่อไฟกระชาก 720V ขณะฮาร์ดสวิตชิ่ง
• การป้องกันตนเองจากอุณหภูมิภายในที่สูงเกินและการตรวจสอบ UVLO
• การจัดการพลังงานขั้นสูง
• เอาต์พุต PWM อุณหภูมิดิจิตอล

แอพพลิเคชั่นของLMG3522R030RQSR

• ตัวแปลงพลังงานโหมดสวิตช์
• เครือข่ายผู้ค้าและเซิร์ฟเวอร์ ม.อ
• วงจรเรียงกระแสโทรคมนาคมของผู้ค้า
• อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์และมอเตอร์ขับเคลื่อนอุตสาหกรรม
• เครื่องสำรองไฟ

แผนภาพบล็อกอย่างง่ายของ LMG3522R030RQSR

คำถามที่พบบ่อย
ถามผลิตภัณฑ์ของคุณเป็นของแท้หรือไม่?
ตอบ: ใช่ ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นของแท้ การนำเข้าต้นฉบับใหม่คือจุดประสงค์ของเรา
ถาม: คุณมีใบรับรองอะไรบ้าง
A:เราเป็นบริษัทที่ได้รับการรับรองมาตรฐาน ISO 9001:2015 และเป็นสมาชิกของ ERAI
ถาม: คุณสามารถสนับสนุนคำสั่งซื้อหรือตัวอย่างปริมาณน้อยได้หรือไม่ตัวอย่างฟรีหรือไม่
ตอบ: ได้ เราสนับสนุนคำสั่งซื้อตัวอย่างและคำสั่งซื้อขนาดเล็ก ค่าใช้จ่ายตัวอย่างจะแตกต่างกันไปตามคำสั่งซื้อหรือโครงการของคุณ
ถาม: วิธีจัดส่งคำสั่งซื้อของฉันปลอดภัยหรือไม่?
ตอบ: เราใช้ด่วนในการจัดส่งเช่น DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS นอกจากนี้เรายังสามารถใช้ผู้ส่งที่แนะนำของคุณได้ผลิตภัณฑ์จะอยู่ในบรรจุภัณฑ์ที่ดีและมั่นใจในความปลอดภัยและเรารับผิดชอบต่อความเสียหายของผลิตภัณฑ์ตามคำสั่งซื้อของคุณ
ถาม: แล้วเวลานำล่ะ?
A: เราสามารถจัดส่งชิ้นส่วนสต็อกภายใน 5 วันทำการหากไม่มีสต็อกเราจะยืนยันระยะเวลารอคอยสินค้าสำหรับคุณตามปริมาณการสั่งซื้อของคุณ